6月13日，集成电路设备与仪器科技发展论坛在武汉召开。本次论坛由中国仪器仪表学会主办，中国仪器仪表学会集成电路测量与仪器分会、华中科技大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学先进光刻机技术教育部工程研究中心、深圳中科飞测科技股份有限公司联合承办。汇聚了全国高校、科研院所、产业链上下游企业的百余位专家学者，围绕设备研发、工艺突破、量检测技术等核心议题展开研讨。中国仪器仪表学会理事长、中国工程院院士尤政致开幕辞。

围绕集成电路装备技术攻关、质量检测体系建设、产业链协同发展等核心方向，院士与行业专家带来系列主旨报告，从基础理论、技术突破到产业实践展开分享。中国仪器仪表学会副理事长、中国工程院院士谭久彬在“新一代国家测量体系与仪器产业体系”主旨报告中，对强国建设、新技术革命与产业变革背景下仪器科技面临的挑战进行解读。华中科技大学教授、中国工程院院士陈学东作题为“GKJ动力学设计”的报告，聚焦纳米级制造装备设计范式升级。

工艺与架构创新是集成电路产业升级的核心抓手，科研院所与产业一线专家围绕不同技术赛道分享了最新实践进展。中国科学院微电子研究所研究员叶甜春作“集成电路器件工艺突破创新”报告，梳理“一代技术、一代工艺、一代设备”发展规律，介绍多节点工艺核心突破，其自主工艺体系支撑国内12英寸关键装备研制，成果已实现产业化应用。

长江存储首席科学家霍宗亮作“三维存储芯片集成电路工艺与量测创新发展之路”报告，指出三维集成是后摩尔时代存储芯片升级核心路径，解读晶栈（Xtacking）架构技术路径，剖析三维堆叠的工艺与量测双重挑战，为三维芯片制造创新提供参考方向。北京航空航天大学副校长赵巍胜作“我国自旋芯片设备与仪器产业链发展：十年积累、前景可期”报告，回顾产业链十年国产化发展历程。中国电子科技集团有限公司测试仪器首席科学家年夫顺作“集成电路与三维封装器件测试技术进展”报告，介绍了国内四大类测试仪器的成体系自主化成果，展望了硅光集成、AI赋能测试等行业方向。

上海大学副校长张建华作题为“极端光刻胶检测新方法新装置”的报告，针对极端工艺条件下的性能检测痛点，提出了全新检测方法与配套装置。中国科学院微电子研究所研究员韦亚一作“7nm及以下技术节点芯片的光刻图形化方案”报告，围绕先进节点光刻精度难题，详解多次曝光技术的选型与应用逻辑，结合量产案例给出实操方案。深圳中科飞测首席科学家黄有为作“3DIC精密量检测技术与设备”报告，推出成套解决方案，攻克了3DIC集成中的多项量测难题。中国科学院微电子所研究员周维虎作“集成电路量检测技术研究进展”报告，展示微纳尺度检测新技术，适配当下集成电路工艺检测需求。西安交通大学教授杨树明作“集成电路前道量检测技术及设备”报告，梳理前道量测主流技术，并预判未来装备发展方向。

中国仪器仪表学会 供稿