7月9日，由中国科学技术协会主办、中国汽车工程学会承办的第二十八届中国科协年会“高端芯片设计与制造”专题论坛在北京召开。论坛汇聚了来自一汽、长安、北汽、理想等整车企业，芯片设计、晶圆制造、封装测试等产业链各环节，以及相关高校院所的80余位专家学者，围绕高算力芯片架构设计、新型存储集成工艺进展、第三代功率半导体应用、开源芯片生态构建等关键议题展开跨学科交流。

在主题报告环节，7位专家分享了前沿进展与技术思考。清华大学教授李兆麟剖析了车用大算力芯片的技术挑战，指出英伟达的领先地位源于流式处理架构、HBM存储系统、NVlink互连与CUDA生态的协同优势，建议发展先进工艺与存算一体、Chiplet等架构创新，并构建开源验证平台推动国产芯片快速迭代。上海大学副教授任开琳系统梳理了GaN功率器件在新能源汽车中的应用前景，指出其凭借高频、低损耗特性在OBC、DC-DC等场景潜力显著，但动态导通电阻退化、阈值电压稳定性、短路鲁棒性等挑战亟待产业链协同建立可靠性测试标准。芯擎科技副总裁张祺分析了AI座舱的产业实践，认为独立AI-Box与单芯片方案短期并行，长期舱驾融合是演进方向，但面临组织协同、技术收敛与成本平衡等现实挑战。无锡臻芯总经理李德红提出车规工艺需从“被动车规”转向“全面主动车规级能力建设”，核心在于应用场景牵引工艺定义、加强量产一致性保障、构建晶圆厂长期投入的商业闭环。慧忆微电子副总裁王舒翀指出AI热潮导致存储原厂战略性转向数据中心，车规存储面临长期结构性短缺，业界正探索将大模型权重分层卸载至NAND以释放DRAM占用的技术路径。纳芯微总监庞家华介绍了动力系统高压化、集成化趋势下隔离驱动芯片的功能安全设计演进，指出驱动芯片正向更高集成度、更高效率及功率器件健康监测方向迭代。苏州国芯总监王宗宝指出国际MCU巨头均已启动向RISC-V架构转型，国内已有基于22纳米RRAM工艺的高端车规MCU完成开发，RISC-V凭借指令集可定制、无授权费等特性有望在车规领域构建差异化竞争力。

在研讨环节，与会专家围绕智能驾驶SoC内嵌功能安全岛与双芯冗余架构的替代可行性、舱驾融合芯片的性价比优势与系统复杂度平衡、大模型上车背景下的车载存储应对策略、RISC-V与ARM架构的差异化优势等议题展开深入讨论。专家们认为，SoC集成功能安全岛是长期趋势但短期内仍将与分布式安全方案并行；舱驾融合方向明确但面临着技术收敛与组织协同挑战；车规存储需从供应链长期协议和技术创新两方面应对结构性短缺；RISC-V有望在车规MCU领域与ARM形成长期并存格局。

本次论坛为中国高端车规芯片产业搭建了跨学科交流协作平台。相关专家学者与企业代表围绕技术突破路径、产业协同模式展开深入研讨，凝聚了自主创新的共识与合力。

中国汽车工程学会  供稿